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通信技术与半导体
通信与半导体现代芯片中数量最多的基础器件,通过栅极电压控制导电沟道通断,是数字电路与功率电路的基石。
通信与半导体结合 MOSFET 易驱动与双极晶体管大电流优点的功率开关器件,是电动汽车、高铁与变频器的核心元件。
通信与半导体设计芯片所依赖的软件工具体系,覆盖仿真、综合、布局布线到验证签核,被称为「芯片之母」。
中国自主建设运行的全球卫星导航系统。
采用 3D 堆叠实现超高带宽的新型内存技术。
短距离无线通信技术,广泛用于设备互联与物联网。
硬件逻辑可在出厂后反复编程的可重构芯片。
在晶圆上转印电路图形的核心半导体制造设备。
耐高压高温的宽禁带半导体,主导高功率电力电子。
基于 802.11ax 标准的第六代 Wi-Fi,强调高密度场景效率。
制造集成电路的圆形半导体衬底材料。
通信与半导体把并行数据转为高速串行信号传输再还原的电路,PCIe、以太网、USB 等一切高速接口的物理基础。
将处理器与多种功能模块集成于单一芯片的系统。
为特定应用定制设计的高性能专用芯片。
通信与半导体将导电沟道做成立体鳍片、栅极三面包裹的晶体管结构,解决了平面晶体管在 22 纳米以下的漏电难题。
垂直贯穿硅片的导电通孔,让芯片可以立体堆叠互连,是 HBM 与 3D 封装的核心工艺。
通信与半导体芯片设计完成后把最终版图数据交付晶圆厂制造的里程碑,一次先进制程流片成本可达数千万元。
通信与半导体不依赖仿真激励、穷尽检查芯片所有时序路径是否满足建立/保持时间要求的验证方法,是流片前的必经签核。
专为机器学习张量运算设计的定制加速芯片。
通信与半导体栅极四面完全包裹纳米片沟道的晶体管结构,是 3 纳米及以下先进制程接替 FinFET 的主流方案。