SRAM (静态随机存取存储器)

定义

SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存取存储器)是一种只要供电就能保持数据、无需刷新的易失性存储器。典型存储单元由六个晶体管(6T)构成一对交叉耦合的反相器,以双稳态锁存一位数据。

特点

与 DRAM 相比,SRAM 读写速度快得多、访问延迟低,且与标准逻辑工艺完全兼容,可以直接集成在 CPU、SoC 内部;代价是每个单元需要六个晶体管,面积约为 DRAM 单元的数倍到数十倍,容量密度低、成本高,因此只用于小容量高速场景。

应用

SRAM 最主要的用途是处理器的 L1/L2/L3 缓存与寄存器堆、TLB 等片上存储,也用于网络设备的高速缓冲、FPGA 配置与嵌入式系统。值得注意的是,先进制程下 SRAM 单元微缩速度明显落后于逻辑电路,面积占比越来越大,这一「SRAM 微缩失速」问题推动了 3D 缓存堆叠(如 AMD 3D V-Cache)和 eDRAM、MRAM 等替代方案的探索。