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固态硬盘以 NAND 闪存为存储介质,无机械结构,随机读写性能远超机械硬盘,抗震好、静音、体积小。SLC/MLC/TLC/QLC 等不同存储密度直接影响耐久度与速度,NVMe 接口已成性能旗舰标配。

| 类型 | NAND 闪存固态存储设备 |
| 主流接口 | NVMe(M.2/U.2)、SATA III |
| 主要厂商 | 三星、WD、SK 海力士、英睿达(Crucial) |
NAND 闪存按每个存储单元存储的比特数分类:SLC(1bit)写入次数可达 10 万次,速度最快,但密度最低,价格高昂,多用于缓存层;MLC(2bit)约 3000-10000 次;TLC(3bit)约 1000-3000 次,是目前消费级 SSD 主流;QLC(4bit)约 300-500 次,密度最高价格最低,适合顺序读多写少场景(如视频存储)。
厂商用「DRAM 缓存」和「SLC Cache」机制掩盖 TLC/QLC 的写入速度劣势:空盘时将部分 NAND 以 SLC 模式使用,顺序写入可达 3000 MB/s,但 SLC Cache 填满后速度跌至 300-600 MB/s。这是测评中容量接近满盘时速度骤降的原因。[1]
SSD 主控负责垃圾回收、磨损均衡、坏块管理和加密,决定了 SSD 的综合性能。三星、西数、海力士均有自研主控和 NAND,能做到最优化匹配;群联(Phison)、慧荣(SMI)、Realtek 是第三方主控大厂,被大量白牌和中小品牌 SSD 采用。
无 DRAM 缓存的 SSD(Host Memory Buffer 方案,借用主机内存)成本低但在高队列深度随机写时性能下降明显,不适合服务器和 NAS 应用,消费者购买时需注意产品规格页是否标注 DRAM。

| 类型 | NAND 闪存固态存储设备 |
| 主流接口 | NVMe(M.2/U.2)、SATA III |
| 主要厂商 | 三星、WD、SK 海力士、英睿达(Crucial) |
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