NAND 闪存

定义

NAND 闪存是一种非易失性存储器,通过在浮栅或电荷俘获层中存储电子来记录数据,断电后数据不丢失。因存储单元串联结构类似 NAND 逻辑门而得名,由东芝的舛冈富士雄于 1980 年代发明。

技术演进

按每单元存储位数分为 SLC(1 位)、MLC(2 位)、TLC(3 位)、QLC(4 位),位数越多容量成本越低,但寿命与速度下降。平面微缩接近极限后,业界转向 3D NAND:将存储单元垂直堆叠,层数从 32 层一路推进到 200 层以上,持续降低每 GB 成本。

特性与应用

NAND 以页为单位读写、以块为单位擦除,擦写次数有限,需要主控芯片进行磨损均衡、垃圾回收与纠错(ECC)管理。应用覆盖 SSD、智能手机(UFS/eMMC)、存储卡与 U 盘。主要厂商包括三星、铠侠、西部数据(闪迪)、SK 海力士、美光和长江存储。