加载中...
HBM 通过硅通孔(TSV)将多层 DRAM 芯片垂直堆叠并封装在与主芯片同一基板上,以极短路径实现超高带宽,每个 HBM3e 堆叠可提供高达 1.2 TB/s 带宽,主要用于 AI 训练芯片和高端 GPU。

| 类型 | 高带宽堆叠 DRAM 内存技术 |
| 主要厂商 | SK 海力士、三星、美光 |
| 代表应用 | 英伟达 H100/H200、AMD MI300X |
大模型训练本质上是密集矩阵乘法,计算单元可以做到极快,但如果数据从内存传输跟不上,计算单元就会「饿着」等数据。GDDR6X 的带宽约 1 TB/s,而 H100 的 HBM3 带宽达 3.35 TB/s,这条带宽差距直接转化为 LLM 推断速度的差异——处理每个 Token 时需要读取整个模型权重,带宽越宽,Token 生成速度越快。
HBM 通过将 DRAM 芯片叠放在 GPU 旁边,用TSV(硅穿孔)连接上下芯片,再通过Interposer(中介层)与 GPU Die 相连,将内存总线宽度从 GDDR 的 384 位扩展至 1024 位甚至 5120 位,这是带宽翻倍的根本原因。[1]
HBM2e(2020年)用于 A100,带宽 2 TB/s;HBM3(2022年)用于 H100,带宽 3.35 TB/s;HBM3e(2024年)用于 H200,带宽提升至 4.8 TB/s。SK 海力士、三星、美光是全球仅有的三家 HBM 供应商,由于封装难度高、良率控制复杂,HBM 产能长期是 AI 芯片的卡脖子环节。2023-2024 年全球 AI 芯片需求暴增,SK 海力士几乎将全部 HBM3e 产能独供英伟达,三星 HBM3e 认证延迟导致市场份额下滑引发广泛关注。

| 类型 | 高带宽堆叠 DRAM 内存技术 |
| 主要厂商 | SK 海力士、三星、美光 |
| 代表应用 | 英伟达 H100/H200、AMD MI300X |
登录 后参与讨论
暂无讨论,来发表第一条评论吧