DRAM (动态随机存取存储器)

定义

DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)是现代计算机主存的基础芯片。每个存储单元仅由一个晶体管和一个电容构成(1T1C),用电容上有无电荷表示 0 和 1,结构极为紧凑,单位面积容量远高于 SRAM。

工作特点

电容电荷会缓慢泄漏,因此 DRAM 必须每隔数十毫秒对所有单元刷新一次,「动态」即由此得名;断电后数据丢失,属于易失性存储器。读取是破坏性的,读后需要回写。DRAM 通过行列地址复用访问,性能指标包括频率、时序(如 CAS 延迟)与带宽。

类型与格局

常见形态包括 PC 与服务器用的 DDR 系列、移动设备用的 LPDDR、显卡用的 GDDR,以及垂直堆叠的 HBM,它们的存储单元原理相同,接口设计不同。DRAM 产业高度集中,三星、SK 海力士、美光三家合计占据全球九成以上份额,中国长鑫存储正在追赶。