第三代半导体

第三代半导体泛指以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)材料制造的半导体,相较硅在高温、高压与高频下更具优势。

概述

它们主要用于功率电子与射频,在电动车、快充、光伏与 5G 基站中可显著提升能效与功率密度。

特点

耐高温、耐高压、开关损耗低,是新能源与高效电源的优选;成本与良率仍在持续优化。

• 宽禁带 SiC/GaN
• 用于:功率/射频
• 优势:高温高压高效