光刻胶

光刻胶(Photoresist)是涂覆于晶圆表面、受光照后发生化学变化的感光材料,经显影后留下或去除特定区域,从而定义电路图形轮廓。

概述

它分为正胶与负胶,配合光刻机使用;先进制程需更高分辨率的 ArF/EUV 光刻胶,材料壁垒高。

特点

是光刻工艺的关键耗材,长期由日企主导,也是半导体材料国产替代的重点方向之一。

• 光敏图形材料
• 类型:正胶/负胶
• 壁垒:日企主导