氮化镓

氮化镓(Gallium Nitride,GaN)是一种宽禁带半导体材料,电子迁移率高,适合高频、高效率的功率与射频应用。

概述

GaN 充电器因高功率密度与小型化风靡消费电子;在射频功放与数据中心电源中亦有广泛前景。

特点

开关频率高、体积小、效率高,是快充革命的推动者;成本随规模下降而快速改善。

• 宽禁带材料
• 用于:快充/射频
• 优势:高频高效小巧