EUV 极紫外光刻

简介

EUV(Extreme Ultraviolet,极紫外)光刻是一种采用波长约 13.5 纳米极紫外光的先进光刻技术。它是实现 7 纳米及以下先进逻辑制程的关键手段,代表了当今光刻技术的最高水平。

技术原理

EUV 光的产生极为复杂:高功率激光以极高频率轰击微小的锡液滴,使其形成等离子体并辐射出极紫外光。由于几乎所有材料都会吸收 EUV,系统无法使用传统透镜,而必须采用一系列高精度的多层膜反射镜在真空环境中传导光线。

相比此前需要多重曝光的深紫外(DUV)工艺,EUV 凭借更短波长可在单次或少数曝光中实现更精细的图形,简化工艺并提升良率。

特点

• 波长极短,显著提升光刻分辨率。
• 需在真空中工作,系统庞大、能耗高。
• 对光源功率、反射镜洁净度和掩模缺陷要求极为苛刻。

发展

EUV 已在先进制程中规模量产,业界正进一步研发高数值孔径(High-NA)EUV,以延续摩尔定律,推动制程向更小节点演进。